三星HBM4内存销售额率先突破10亿美元

据韩联社援引韩国芯片行业消息报道，三星电子HBM4内存销售额已在业界率先突破10亿美元大关。这一里程碑标志着三星在高带宽内存（HBM）领域的技术实力与市场领先地位。

三星HBM4内存于2026年2月12日正式量产，从量产到销售额突破10亿美元用时不到5个月，显示出市场对其高性能内存产品的强劲需求。该产品基于三星先进的1cnm DRAM Die和4nm逻辑Base Die，采用12Hi堆叠技术，单堆栈容量达到36GB。其引脚速率可达13Gbps，堆栈总带宽高达3.3TB/s，能够满足AI训练和推理等场景对高带宽、大容量的严苛要求。

在HBM4之后，三星电子上月还率先出样了12Hi 48GB HBM4E内存。HBM4E在HBM4基础上进一步提升了性能，引脚速率提升至14~16Gbps，堆栈总带宽随之来到3.6TB/s。HBM4E的推出延续了三星在HBM技术路线上的快速迭代，为下一代AI芯片提供了更强大的内存支持。

三星电子在HBM领域的持续突破，不仅巩固了其在半导体存储器市场的技术护城河，也为AI基础设施的升级提供了关键硬件支撑。随着AI模型规模不断扩大，对内存带宽和容量的需求持续增长，HBM4及后续产品的商业化进程将直接影响AI计算的效率与成本。