三星HBM4良率接近八成加速扩产

三星电子在HBM4内存领域的进展正引发行业关注。据韩媒《首尔经济日报》援引消息人士的话报道，三星电子HBM4的良率已接近80%，即将达成原本设定在2026年底才实现的目标。这一良率水平标志着三星在下一代高带宽内存技术上迈出了关键一步，也为后续大规模商业化奠定了坚实基础。

消息人士透露，今年2月三星电子初步量产HBM4时，良率仅有60%左右，远未达到DRAM行业大规模商业化所需的水平。彼时，良率的不足直接限制了三星在HBM4上的投片量，使其难以充分满足潜在客户的订单需求。而在随后的几个月中，良率持续攀升，如今接近80%的良率意味着生产过程中的晶圆浪费显著减少，单位成本也随之下降。

良率的提升带来的不仅是成本优势，更让三星电子确信能在HBM4上收获丰厚的回报。基于这一判断，三星已愿意将更多DRAM晶圆产能分配到HBM4的生产上，从而加速产能爬坡进程。业内分析认为，HBM作为AI加速器核心配套存储方案，其供需状况直接影响高端AI芯片的交付节奏，三星良率的提升有望缓解市场对HBM供给紧张的担忧。

在产能策略方面，有消息称三星电子计划将本季度的HBM4销售额扩大到上季度的3倍以上，最终在下半年整体HBM营收中的占比扩展到60%以上，并争取在年底前获得与整体DRAM市场份额相当的HBM市占率。这一目标显示出三星对自身技术成熟度和市场需求的强烈信心。HBM4作为新一代高带宽内存，其更高的堆叠层数和更宽的接口对制造工艺提出了严苛要求，三星能够在短时间内将良率从60%提升至接近80%，也体现了其在先进封装和存储工艺上的积累。

对行业而言，三星HBM4良率的突破意味着竞争格局可能发生微妙变化。当前，SK海力士与三星电子在HBM市场占据主导地位，良率则是决定供货能力与利润空间的核心因素。随着三星HBM4产能的加速释放，下游AI芯片厂商将获得更多选择，有助于稳定HBM价格并推动AI基础设施的规模化部署。